Справочник MOSFET. SI2321

 

SI2321 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2321
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SI2321

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  vishay
si2321.pdfpdf_icon

SI2321

MCC Micro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial ComponentsCA 91311SI2321 Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"P-Channel -20V,-2.9A, RDS(ON)=57m@VGS=-4.5V RDS(ON)=76m@VGS=-2.5V Enhancement Mode High dense cell design for extremely low RDS(ON)

 0.1. Size:205K  vishay
si2321ds.pdfpdf_icon

SI2321

Si2321DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS 0.057 at VGS = - 4.5 V - 3.3RoHS0.076 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.8COMPLIANTAPPLICATIONS0.110 at VGS = - 1.8 V - 2.3 Load Switch PA SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2321

 0.2. Size:1710K  kexin
si2321ds.pdfpdf_icon

SI2321

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2321DS (KI2321DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1 Features+0.10.4-0.1 VDS (V) =-20V3 ID =-3.3A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 57m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 76m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 110m (VGS =-1.8V)+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain

 0.3. Size:1781K  kexin
si2321ds-3.pdfpdf_icon

SI2321

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2321DS (KI2321DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) =-20V ID =-3.3A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 57m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 76m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 110m (VGS =-1.8V)G 13 D1. GateS 22. Source3. Drai

Другие MOSFET... SI2308BDS , SI2309CDS , SI2311DS , SI2312BDS , SI2312CDS , SI2316BDS , SI2316DS , SI2319CDS , K2611 , SI2323CDS , SI2323DDS , SI2327DS , SI2329DS , SI2331DS , SI2333DDS , SI2334DS , SI2336DS .

History: CEP85N75 | FTK2102 | SSM6P36FE | AUIRLB3036

 

 
Back to Top

 


 
.