IRFR9212 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR9212

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFR9212 datasheet

 ..1. Size:166K  1
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IRFR9212

 7.1. Size:1809K  international rectifier
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IRFR9212

PD - 95027A IRFR9210PbF IRFU9210PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91281 www.vishay.com 1 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 2 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 3 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 4 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 5 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 6

 7.2. Size:107K  international rectifier
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IRFR9212

PD - 9.1658A IRFR/U9214 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET P-Channel D VDSS = -250V Surface Mount (IRFR9214) Straight Lead (IRFU9214) RDS(on) = 3.0 Advanced Process Technology G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = -2.7A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance per silico

 7.3. Size:279K  international rectifier
irfr9214 irfu9214.pdf pdf_icon

IRFR9212

PD - 95375A IRFR/U9214PbF HEXFET Power MOSFET l P-Channel D VDSS = -250V l Surface Mount (IRFR9214) l Straight Lead (IRFU9214) RDS(on) = 3.0 l Advanced Process Technology G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -2.7A S l Lead-Free Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance pe

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