Справочник MOSFET. IRFR9212

 

IRFR9212 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR9212
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR9212

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR9212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  1
irfr9210 irfr9212.pdfpdf_icon

IRFR9212

 7.1. Size:1809K  international rectifier
irfr9210pbf irfu9210pbf.pdfpdf_icon

IRFR9212

PD - 95027AIRFR9210PbFIRFU9210PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91281 www.vishay.com1IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com2IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com3IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com4IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com5IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com6

 7.2. Size:107K  international rectifier
irfr9214.pdfpdf_icon

IRFR9212

PD - 9.1658AIRFR/U9214PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET P-Channel DVDSS = -250V Surface Mount (IRFR9214) Straight Lead (IRFU9214)RDS(on) = 3.0 Advanced Process TechnologyG Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = -2.7ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve lowon-resistance per silico

 7.3. Size:279K  international rectifier
irfr9214 irfu9214.pdfpdf_icon

IRFR9212

PD - 95375AIRFR/U9214PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channel DVDSS = -250Vl Surface Mount (IRFR9214)l Straight Lead (IRFU9214)RDS(on) = 3.0l Advanced Process TechnologyGl Fast Switchingl Fully Avalanche Rated ID = -2.7ASl Lead-FreeDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve lowon-resistance pe

Другие MOSFET... IRFR9024 , IRFR9024N , IRFR9110 , IRFR9111 , IRFR9120 , IRFR9120N , IRFR9121 , IRFR9210 , 10N65 , IRFR9214 , IRFR9220 , IRFR9222 , IRFR9310 , IRFRC20 , IRFS11N50A , IRFS130 , IRFS131 .

History: MTDN5820Z6 | GT110N06D5 | SI4558DY | KTK5132V | TPC6003 | MTDN9971Q8

 

 
Back to Top

 


 
.