SI3127DV Todos los transistores

 

SI3127DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3127DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI3127DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
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SI3127DV

Si3127DVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.089 at VGS = -10 V -5.1-60 10.1 nC Material categorization:0.146 at VGS = -4.5 V -4For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 SingleS4APPLIC

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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