SI3127DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3127DV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
Encapsulados: TSOP-6
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SI3127DV datasheet
si3127dv.pdf
Si3127DV www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.089 at VGS = -10 V -5.1 -60 10.1 nC Material categorization 0.146 at VGS = -4.5 V -4 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 Single S 4 APPLIC
Otros transistores... SI2343CDS , SI2347DS , SI2351DS , SI2365EDS , SI2367DS , SI2371EDS , SI2374DS , SI2392ADS , AO4407A , SI3134K , SI3139K , SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , SI3415 , SI3417DV , SI3420 .
History: IRFU120PBF | TK31V60W
History: IRFU120PBF | TK31V60W
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