Справочник MOSFET. SI3127DV

 

SI3127DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3127DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3127DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3127DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
 si3127dv.pdf pdf_icon

SI3127DV

Si3127DVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.089 at VGS = -10 V -5.1-60 10.1 nC Material categorization:0.146 at VGS = -4.5 V -4For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 SingleS4APPLIC

Другие MOSFET... SI2343CDS , SI2347DS , SI2351DS , SI2365EDS , SI2367DS , SI2371EDS , SI2374DS , SI2392ADS , AO3407 , SI3134K , SI3139K , SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , SI3415 , SI3417DV , SI3420 .

History: BSP230 | PNM8P30V12 | STW13NK100Z

 

 
Back to Top

 


 
.