Справочник MOSFET. SI3127DV

 

SI3127DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3127DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3127DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
 si3127dv.pdf pdf_icon

SI3127DV

Si3127DVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.089 at VGS = -10 V -5.1-60 10.1 nC Material categorization:0.146 at VGS = -4.5 V -4For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 SingleS4APPLIC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BSS123A | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | MCH6663 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.