Справочник MOSFET. SI3127DV

 

SI3127DV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3127DV
   Маркировка: BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 88 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.089 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3127DV

 

 

SI3127DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
 si3127dv.pdf

SI3127DV SI3127DV

Si3127DVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.089 at VGS = -10 V -5.1-60 10.1 nC Material categorization:0.146 at VGS = -4.5 V -4For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 SingleS4APPLIC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top