SI3127DV - описание и поиск аналогов

 

SI3127DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3127DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.089 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3127DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3127DV даташит

 ..1. Size:242K  vishay
 si3127dv.pdf pdf_icon

SI3127DV

Si3127DV www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.089 at VGS = -10 V -5.1 -60 10.1 nC Material categorization 0.146 at VGS = -4.5 V -4 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TSOP-6 Single S 4 APPLIC

Другие MOSFET... SI2343CDS , SI2347DS , SI2351DS , SI2365EDS , SI2367DS , SI2371EDS , SI2374DS , SI2392ADS , AO4407A , SI3134K , SI3139K , SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , SI3415 , SI3417DV , SI3420 .

History: SK2300A | CPH3430

 

 

 

 

↑ Back to Top
.