SI3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de SI3415 MOSFET
SI3415 Datasheet (PDF)
si3415a.pdf

SI3415AFeatures High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1)P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC
si3415b.pdf

SI3415BFeatures High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed SwitchingP-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET TechnologyEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH
Otros transistores... SI2374DS , SI2392ADS , SI3127DV , SI3134K , SI3139K , SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , IRF3205 , SI3417DV , SI3420 , SI3421DV , SI3424BDV , SI3424CDV , SI3424DV , SI3429EDV , SI3430DV .
History: TK40P04M1 | WMK115N15HG4 | RU6H7R | BSN20 | WMK110N20HG2 | AS2318 | SE80130GA
History: TK40P04M1 | WMK115N15HG4 | RU6H7R | BSN20 | WMK110N20HG2 | AS2318 | SE80130GA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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