Справочник MOSFET. SI3415

 

SI3415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SI3415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  vishay
si3415.pdfpdf_icon

SI3415

 ..2. Size:430K  mcc
si3415.pdfpdf_icon

SI3415

 0.1. Size:1291K  mcc
si3415a.pdfpdf_icon

SI3415

SI3415AFeatures High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1)P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC

 0.2. Size:669K  mcc
si3415b.pdfpdf_icon

SI3415

SI3415BFeatures High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed SwitchingP-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET TechnologyEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH

Другие MOSFET... SI2374DS , SI2392ADS , SI3127DV , SI3134K , SI3139K , SI3404 , SI3407DV , SI3410DV , IRF3205 , SI3417DV , SI3420 , SI3421DV , SI3424BDV , SI3424CDV , SI3424DV , SI3429EDV , SI3430DV .

History: UT4404G-S08-R

 

 
Back to Top

 


 
.