SI3415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3415
Маркировка: R15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
SI3415 Datasheet (PDF)
si3415a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI3415AFeatures High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1)P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC
si3415b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI3415BFeatures High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed SwitchingP-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET TechnologyEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH
si3410dv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3410DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0195 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET30 9.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V 8APPLICATIONS Notebook Load Switch Low Current dc-to-dcTSOP-6 T
si3417dv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3417DVVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d,e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0252 at VGS = - 10 V - 8- 30 15 nCFor definitions of compliance please see 0.0360 at VGS = - 4.5 V - 8www.vishay.com/doc?99912AvailableTSOP-6Top ViewAPPL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .