Справочник MOSFET. SI3415

 

SI3415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для SI3415

 

 

SI3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  vishay
 si3415.pdf

SI3415 SI3415

 ..2. Size:430K  mcc
 si3415.pdf

SI3415 SI3415

 0.1. Size:1291K  mcc
 si3415a.pdf

SI3415 SI3415

SI3415AFeatures High Power and Current Handing Capability Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1)P-Channel Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55oC to +150oC

 0.2. Size:669K  mcc
 si3415b.pdf

SI3415 SI3415

SI3415BFeatures High Density Cell Design For Ultra Low RDS(on) High Speed SwitchingP-Channel ESD Protected Up to 2.5KV (HBM) Trench Power LV MOSFET TechnologyEnhancement Mode Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Field Effect Transistor Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoH

 9.1. Size:191K  vishay
 si3410dv.pdf

SI3415 SI3415

Si3410DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0195 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET30 9.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V 8APPLICATIONS Notebook Load Switch Low Current dc-to-dcTSOP-6 T

 9.2. Size:216K  vishay
 si3417dv.pdf

SI3415 SI3415

Si3417DVVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d,e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.0252 at VGS = - 10 V - 8- 30 15 nCFor definitions of compliance please see 0.0360 at VGS = - 4.5 V - 8www.vishay.com/doc?99912AvailableTSOP-6Top ViewAPPL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top