SI3442CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3442CDV
   Código: BE*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 94 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3442CDV

SI3442CDV Datasheet (PDF)

..1. Size:214K vishay
si3442cdv.pdf

Si3442CDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.027 at VGS = 10 V 8dFor definitions of compliance please see20 0.030 at VGS = 4.5 V 7.5 4.3 nCwww.vishay.com/doc?999120.049 at VGS = 2.5 V 6.1APPLICATIONSTSO

..2. Size:841K cn vbsemi
si3442cdv.pdf

SI3442CDVwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/DC

8.1. Size:179K vishay
si3442bdv.pdf

Si3442BDVVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.057 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFET200.090 at VGS = 2.5 V 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering

8.2. Size:177K vishay
si3442bd.pdf

8.3. Size:71K vishay
si3442dv.pdf

March 2001 SI3442DV N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 4.5 Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary,RDS(ON) = 0.075 @ VGS =2.7 V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tai

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI3460BDV

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: