SI3456CDV Todos los transistores

 

SI3456CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3456CDV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI3456CDV Datasheet (PDF)

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SI3456CDV

Si3456CDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFET30 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.052 at VGS = 4.5 V 6.3APPLICATIONS Load Switch HDDTSOP-6 Top View D D 1

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Si3456CDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFET30 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.052 at VGS = 4.5 V 6.3APPLICATIONS Load Switch HDDTSOP-6 Top View D D 1

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SI3456CDV

New ProductSi3456DDVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.3 TrenchFET Power MOSFET30 2.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Load Switch HDD DC/DC Conve

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Si3456DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.045 @ VGS = 10 V 5.130300.065 @ VGS = 4.5 V 4.3(1, 2, 5, 6) DTSOP-6Top View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering Information: Si3456DV-T1N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWIS

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History: FDP10N60NZ | AM4512CE | STF34N65M5 | FDT458P | IPA65R600C6 | IRFI730A | UT3N10G-AB3-R

 

 
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