SI3552DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3552DV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de SI3552DV MOSFET
SI3552DV Datasheet (PDF)
si3552dv.pdf

Si3552DVVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.105 at VGS = 10 V 2.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 300.175 at VGS = 4.5 V 2.0 100 % Rg Tested0.200 at VGS = - 10 V - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 300.360
Otros transistores... SI3477DV , SI3481DV , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , P60NF06 , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV .



Liste
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