Справочник MOSFET. SI3552DV

 

SI3552DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3552DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3552DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3552DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  vishay
 si3552dv.pdf pdf_icon

SI3552DV

Si3552DVVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.105 at VGS = 10 V 2.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 300.175 at VGS = 4.5 V 2.0 100 % Rg Tested0.200 at VGS = - 10 V - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 300.360

Другие MOSFET... SI3477DV , SI3481DV , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , P60NF06 , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV .

 

 
Back to Top

 


 
.