SI3552DV - описание и поиск аналогов

 

SI3552DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3552DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3552DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3552DV даташит

 ..1. Size:199K  vishay
 si3552dv.pdf pdf_icon

SI3552DV

Si3552DV Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.105 at VGS = 10 V 2.5 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.175 at VGS = 4.5 V 2.0 100 % Rg Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 30 0.360

Другие MOSFET... SI3477DV , SI3481DV , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , AO4407 , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.