SI3590DV Todos los transistores

 

SI3590DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3590DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de SI3590DV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI3590DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 si3590dv.pdf pdf_icon

SI3590DV

Si3590DVVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition TrenchFET Power MOSFET0.077 at VGS = 4.5 V 3N-Channel 30 Ultra Low RDS(on) N- and P-Channel for High 0.120 at VGS = 2.5 V 2Efficiency0.170 at VGS = - 4.5 V - 2 Optimized for High-Side/

Otros transistores... SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , P0903BDG , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV .

History: CSL2803 | CSLR024 | SIHP12N50E | PMPB29XPE | IPD14N06S2-80

 

 
Back to Top

 


 
.