SI3590DV Todos los transistores

 

SI3590DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3590DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SI3590DV datasheet

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SI3590DV

Si3590DV Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.077 at VGS = 4.5 V 3 N-Channel 30 Ultra Low RDS(on) N- and P-Channel for High 0.120 at VGS = 2.5 V 2 Efficiency 0.170 at VGS = - 4.5 V - 2 Optimized for High-Side/

Otros transistores... SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , IRF1407 , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV .

History: AON6444 | AON6452

 

 

 

 

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