SI3590DV - описание и поиск аналогов

 

SI3590DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3590DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3590DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3590DV даташит

 ..1. Size:228K  vishay
 si3590dv.pdf pdf_icon

SI3590DV

Si3590DV Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.077 at VGS = 4.5 V 3 N-Channel 30 Ultra Low RDS(on) N- and P-Channel for High 0.120 at VGS = 2.5 V 2 Efficiency 0.170 at VGS = - 4.5 V - 2 Optimized for High-Side/

Другие MOSFET... SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , IRF1407 , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV .

History: NCEP020N30GU | AOK20N60 | NCEP01T18 | MDD1754RH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.