Справочник MOSFET. SI3590DV

 

SI3590DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3590DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3590DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3590DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 si3590dv.pdf pdf_icon

SI3590DV

Si3590DVVishay SiliconixN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition TrenchFET Power MOSFET0.077 at VGS = 4.5 V 3N-Channel 30 Ultra Low RDS(on) N- and P-Channel for High 0.120 at VGS = 2.5 V 2Efficiency0.170 at VGS = - 4.5 V - 2 Optimized for High-Side/

Другие MOSFET... SI3493BDV , SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , P0903BDG , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV .

 

 
Back to Top

 


 
.