SI3805DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3805DV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de SI3805DV MOSFET
SI3805DV Datasheet (PDF)
si3805dv.pdf

New ProductSi3805DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.084 at VGS = - 10 V - 3.3 LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 2.9 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2
Otros transistores... SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , 5N65 , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV .
History: SSM9960GH
History: SSM9960GH



Liste
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