SI3805DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI3805DV
Маркировка: II*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SI3805DV Datasheet (PDF)
si3805dv.pdf

New ProductSi3805DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.084 at VGS = - 10 V - 3.3 LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 2.9 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2N5454 | STW6N95K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g