Справочник MOSFET. SI3805DV

 

SI3805DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3805DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3805DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3805DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
 si3805dv.pdf pdf_icon

SI3805DV

New ProductSi3805DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.084 at VGS = - 10 V - 3.3 LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 2.9 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2

Другие MOSFET... SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , 5N65 , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV .

History: SI3590DV | SIHLZ34

 

 
Back to Top

 


 
.