SI3805DV - описание и поиск аналогов

 

SI3805DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3805DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3805DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3805DV даташит

 ..1. Size:228K  vishay
 si3805dv.pdf pdf_icon

SI3805DV

New Product Si3805DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.084 at VGS = - 10 V - 3.3 LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 2.9 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.175 at VGS = - 2

Другие MOSFET... SI3493DV , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , 2SK3568 , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV .

History: AO8810 | MTM24N45E | HM2302BJR | HM2301F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.