SI3879DV Todos los transistores

 

SI3879DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3879DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

 Búsqueda de reemplazo de SI3879DV MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI3879DV datasheet

 ..1. Size:233K  vishay
 si3879dv.pdf pdf_icon

SI3879DV

Si3879DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.070 at VGS = - 5.0 V - 5.0 - 20 4.5 nC LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.105 at VGS = - 2.5 V - 4.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

Otros transistores... SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI2302 , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY .

History: AGM30P10AP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.