SI3879DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3879DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3879DV

SI3879DV Datasheet (PDF)

..1. Size:233K vishay
si3879dv.pdf

Si3879DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.070 at VGS = - 5.0 V - 5.0- 20 4.5 nC LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.105 at VGS = - 2.5 V - 4.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

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History: IXTA300N04T2-7

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: