SI3879DV - описание и поиск аналогов

 

SI3879DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3879DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3879DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3879DV даташит

 ..1. Size:233K  vishay
 si3879dv.pdf pdf_icon

SI3879DV

Si3879DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.070 at VGS = - 5.0 V - 5.0 - 20 4.5 nC LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.105 at VGS = - 2.5 V - 4.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

Другие MOSFET... SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI2302 , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.