Справочник MOSFET. SI3879DV

 

SI3879DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3879DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3879DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3879DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  vishay
 si3879dv.pdf pdf_icon

SI3879DV

Si3879DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.070 at VGS = - 5.0 V - 5.0- 20 4.5 nC LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.105 at VGS = - 2.5 V - 4.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

Другие MOSFET... SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , IRFZ46N , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY .

 

 
Back to Top

 


 
.