SI3932DV Todos los transistores

 

SI3932DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3932DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SI3932DV datasheet

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SI3932DV

New Product Si3932DV Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 3.7 30 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.073 at VGS = 4.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch fo

Otros transistores... SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , 18N50 , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY .

 

 

 

 

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