SI3932DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3932DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.14 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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SI3932DV Datasheet (PDF)

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si3932dv.pdf

New ProductSi3932DVVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3.730 1.8 nC 100 % Rg Tested0.073 at VGS = 4.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch fo

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: