SI3932DV Todos los transistores

 

SI3932DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3932DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de SI3932DV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI3932DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  vishay
 si3932dv.pdf pdf_icon

SI3932DV

New ProductSi3932DVVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3.730 1.8 nC 100 % Rg Tested0.073 at VGS = 4.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch fo

Otros transistores... SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , 75N75 , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY .

 

 
Back to Top

 


 
.