Справочник MOSFET. SI3932DV

 

SI3932DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3932DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3932DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3932DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  vishay
 si3932dv.pdf pdf_icon

SI3932DV

New ProductSi3932DVVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3.730 1.8 nC 100 % Rg Tested0.073 at VGS = 4.5 V 3.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch fo

Другие MOSFET... SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , 75N75 , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY .

History: ZXMN10A09KTC | SQD50N03-06P

 

 
Back to Top

 


 
.