SI3981DV Todos los transistores

 

SI3981DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3981DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SI3981DV datasheet

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SI3981DV

Si3981DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.185 at VGS = - 4.5 V - 1.9 TrenchFET Power MOSFET 0.260 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.385 at VGS = - 1.8 V - 0.7 APPLICATIONS Battery Switch for Porta

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SI3981DV

Si3983DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 2.5 TrenchFET Power MOSFET 0.145 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.0 Symetrical Dual P-Channel 0.220 at VGS = - 1.8 V - 1.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

Otros transistores... SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , 20N50 , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY .

 

 

 

 

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