SI3981DV - описание и поиск аналогов

 

SI3981DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3981DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3981DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3981DV даташит

 ..1. Size:200K  vishay
 si3981dv.pdf pdf_icon

SI3981DV

Si3981DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.185 at VGS = - 4.5 V - 1.9 TrenchFET Power MOSFET 0.260 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.385 at VGS = - 1.8 V - 0.7 APPLICATIONS Battery Switch for Porta

 9.1. Size:197K  vishay
 si3983dv.pdf pdf_icon

SI3981DV

Si3983DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 2.5 TrenchFET Power MOSFET 0.145 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.0 Symetrical Dual P-Channel 0.220 at VGS = - 1.8 V - 1.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

Другие MOSFET... SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , 20N50 , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.