Справочник MOSFET. SI3981DV

 

SI3981DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3981DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3981DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3981DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  vishay
 si3981dv.pdf pdf_icon

SI3981DV

Si3981DVVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.185 at VGS = - 4.5 V - 1.9 TrenchFET Power MOSFET0.260 at VGS = - 2.5 V - 20 - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.385 at VGS = - 1.8 V - 0.7APPLICATIONS Battery Switch for Porta

 9.1. Size:197K  vishay
 si3983dv.pdf pdf_icon

SI3981DV

Si3983DVVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 2.5 TrenchFET Power MOSFET0.145 at VGS = - 2.5 V - 20 - 2.0 Symetrical Dual P-Channel0.220 at VGS = - 1.8 V - 1.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

Другие MOSFET... SI3590DV , SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , 2N60 , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY .

 

 
Back to Top

 


 
.