SI3993CDV Todos los transistores

 

SI3993CDV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3993CDV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.111 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SI3993CDV datasheet

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SI3993CDV

New Product Si3993CDV Vishay Siliconix Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET - 30 2.7 nC 0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load

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SI3993CDV

Si3993DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Battery Switch for Porta

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History: TPC8209 | FC4B21080L

 

 

 

 

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