SI3993CDV Todos los transistores

 

SI3993CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3993CDV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.111 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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SI3993CDV Datasheet (PDF)

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SI3993CDV

New ProductSi3993CDVVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 30 2.7 nC0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

 8.1. Size:197K  vishay
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SI3993CDV

Si3993DVVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Battery Switch for Porta

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History: IRF7463TR | G5N50J | STF9N65M2

 

 
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