Справочник MOSFET. SI3993CDV

 

SI3993CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3993CDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3993CDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3993CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  vishay
 si3993cdv.pdf pdf_icon

SI3993CDV

New ProductSi3993CDVVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 30 2.7 nC0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

 8.1. Size:197K  vishay
 si3993dv.pdf pdf_icon

SI3993CDV

Si3993DVVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Battery Switch for Porta

Другие MOSFET... SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , CS150N03A8 , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY .

 

 
Back to Top

 


 
.