SI3993CDV - описание и поиск аналогов

 

SI3993CDV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3993CDV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3993CDV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3993CDV даташит

 ..1. Size:194K  vishay
 si3993cdv.pdf pdf_icon

SI3993CDV

New Product Si3993CDV Vishay Siliconix Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET - 30 2.7 nC 0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load

 8.1. Size:197K  vishay
 si3993dv.pdf pdf_icon

SI3993CDV

Si3993DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Battery Switch for Porta

Другие MOSFET... SI3805DV , SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , IRF520 , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY .

History: FQP2N60C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.