SI4004DY Todos los transistores

 

SI4004DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4004DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4004DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  vishay
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SI4004DY

New ProductSi4004DYVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0138 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET20 10.6 nC0.0192 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/

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History: TSM2303CX | IRFR9220 | BFC23 | SI2301S | SIR496DP | SIHF624 | AO4914

 

 
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