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SI4004DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4004DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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Principales características: SI4004DY

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SI4004DY

New Product Si4004DY Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0138 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 20 10.6 nC 0.0192 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/

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