SI4004DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4004DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4004DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4004DY даташит

 ..1. Size:272K  vishay
 si4004dy.pdf pdf_icon

SI4004DY

New Product Si4004DY Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0138 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 20 10.6 nC 0.0192 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/

Другие IGBT... SI3850ADV, SI3865DDV, SI3867DV, SI3879DV, SI3900DV, SI3932DV, SI3981DV, SI3993CDV, IRF2807, SI4010DY, SI4048DY, SI4090DY, SI4100DY, SI4101DY, SI4102DY, SI4104DY, SI4108DY