Справочник MOSFET. SI4004DY

 

SI4004DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4004DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4004DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4004DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  vishay
 si4004dy.pdf pdf_icon

SI4004DY

New ProductSi4004DYVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0138 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET20 10.6 nC0.0192 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/

Другие MOSFET... SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , IRFB31N20D , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY .

History: IXTY10P15T | AP3P9R0I

 

 
Back to Top

 


 
.