SI4004DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI4004DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI4004DY
SI4004DY Datasheet (PDF)
si4004dy.pdf

New ProductSi4004DYVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0138 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET20 10.6 nC0.0192 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/
Другие MOSFET... SI3850ADV , SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , IRFB31N20D , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY .
History: IRHY67C30CM | HAT2193WP | IRHY7130CM
History: IRHY67C30CM | HAT2193WP | IRHY7130CM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103