SI4090DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4090DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.3 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI4090DY MOSFET
SI4090DY Datasheet (PDF)
si4090dy.pdf

New ProductSi4090DYVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0100 at VGS = 10 V 19.7 Material categorization:For definitions of compliance please see100 0.0105 at VGS = 7.5 V 19.2 27.9 nCwww.vishay.com/doc?999120.0120 at VGS = 6.0 V 18
Otros transistores... SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , IRF830 , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY .
History: IRFS635 | MTN7000A3 | HM603K | P0470ATF | FQB2N30TM
History: IRFS635 | MTN7000A3 | HM603K | P0470ATF | FQB2N30TM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058