Справочник MOSFET. SI4090DY

 

SI4090DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4090DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4090DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4090DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  vishay
 si4090dy.pdf pdf_icon

SI4090DY

New ProductSi4090DYVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0100 at VGS = 10 V 19.7 Material categorization:For definitions of compliance please see100 0.0105 at VGS = 7.5 V 19.2 27.9 nCwww.vishay.com/doc?999120.0120 at VGS = 6.0 V 18

Другие MOSFET... SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , IRF830 , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY .

History: SI3474DV

 

 
Back to Top

 


 
.