SI4090DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4090DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4090DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4090DY даташит

 ..1. Size:271K  vishay
 si4090dy.pdf pdf_icon

SI4090DY

New Product Si4090DY Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0100 at VGS = 10 V 19.7 Material categorization For definitions of compliance please see 100 0.0105 at VGS = 7.5 V 19.2 27.9 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0120 at VGS = 6.0 V 18

Другие IGBT... SI3879DV, SI3900DV, SI3932DV, SI3981DV, SI3993CDV, SI4004DY, SI4010DY, SI4048DY, 2N60, SI4100DY, SI4101DY, SI4102DY, SI4104DY, SI4108DY, SI4110DY, SI4114DY, SI4116DY