SI4134DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4134DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4134DY datasheet

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SI4134DY

Si4134DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/DC Conversion -

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SI4134DY

New Product Si4136DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested 20 34 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 41 APPLICATIONS OR-ing DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD G 4 5

Otros transistores... SI4108DY, SI4110DY, SI4114DY, SI4116DY, SI4122DY, SI4124DY, SI4126DY, SI4128DY, IRF9640, SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY, SI4156DY, SI4160DY, SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY