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SI4134DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4134DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4134DY

 

Principales características: SI4134DY

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SI4134DY

Si4134DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/DC Conversion -

 9.1. Size:237K  vishay
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SI4134DY

New Product Si4136DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested 20 34 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 41 APPLICATIONS OR-ing DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD G 4 5

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History: HGP047N12S

 

 
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