SI4134DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4134DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 187 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4134DY Datasheet (PDF)
si4134dy.pdf
Si4134DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/DC Conversion-
si4136dy.pdf
New ProductSi4136DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested20 34 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 41APPLICATIONS OR-ing DC/DCSO-8D SD1 8SD2 7SD3 6GD G 4 5
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
