SI4134DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4134DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4134DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4134DY даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 si4134dy.pdf pdf_icon

SI4134DY

Si4134DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/DC Conversion -

 9.1. Size:237K  vishay
 si4136dy.pdf pdf_icon

SI4134DY

New Product Si4136DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested 20 34 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 41 APPLICATIONS OR-ing DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD G 4 5

Другие IGBT... SI4108DY, SI4110DY, SI4114DY, SI4116DY, SI4122DY, SI4124DY, SI4126DY, SI4128DY, IRF9640, SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY, SI4156DY, SI4160DY, SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY