SI4134DY - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI4134DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4134DY технические параметры
si4134dy.pdf
Si4134DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SO-8 DC/DC Conversion -
si4136dy.pdf
New Product Si4136DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested 20 34 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 41 APPLICATIONS OR-ing DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD G 4 5
Другие MOSFET... SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , SI4124DY , SI4126DY , SI4128DY , IRF9640 , SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY .
History: HGB046NE6AL | HGI059N08A
History: HGB046NE6AL | HGI059N08A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n



