SI4134DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI4134DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI4134DY
SI4134DY Datasheet (PDF)
si4134dy.pdf

Si4134DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/DC Conversion-
si4136dy.pdf

New ProductSi4136DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested20 34 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 41APPLICATIONS OR-ing DC/DCSO-8D SD1 8SD2 7SD3 6GD G 4 5
Другие MOSFET... SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , SI4124DY , SI4126DY , SI4128DY , AON7403 , SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY .
History: AP18T10GM-HF | AM60P04-10D | IRFR420 | NDB6030 | HTD350C04
History: AP18T10GM-HF | AM60P04-10D | IRFR420 | NDB6030 | HTD350C04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n