SI4143DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4143DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4143DY datasheet

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SI4143DY

Si4143DY www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0062 at VGS = -10 V -25.3 Material categorization -30 0.0074 at VGS = -6 V -23.2 54 nC For definitions of compliance please see 0.0092 at VGS = -4.5 V -20.8 www.vishay.com/doc?99

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