SI4143DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4143DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4143DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4143DY даташит

 ..1. Size:309K  vishay
 si4143dy.pdf pdf_icon

SI4143DY

Si4143DY www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0062 at VGS = -10 V -25.3 Material categorization -30 0.0074 at VGS = -6 V -23.2 54 nC For definitions of compliance please see 0.0092 at VGS = -4.5 V -20.8 www.vishay.com/doc?99

Другие IGBT... SI4114DY, SI4116DY, SI4122DY, SI4124DY, SI4126DY, SI4128DY, SI4134DY, SI4136DY, AON7403, SI4154DY, SI4156DY, SI4160DY, SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY, SI4168DY, SI4170DY