SI4143DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI4143DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI4143DY
SI4143DY Datasheet (PDF)
si4143dy.pdf

Si4143DYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = -10 V -25.3 Material categorization: -30 0.0074 at VGS = -6 V -23.2 54 nCFor definitions of compliance please see 0.0092 at VGS = -4.5 V -20.8www.vishay.com/doc?99
Другие MOSFET... SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , SI4124DY , SI4126DY , SI4128DY , SI4134DY , SI4136DY , HY1906P , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY , SI4168DY , SI4170DY .
History: SVF4N60RD | SSF90R240SFD | ELM16800EA
History: SVF4N60RD | SSF90R240SFD | ELM16800EA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo