Справочник MOSFET. SI4143DY

 

SI4143DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4143DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 111 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4143DY

 

 

SI4143DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  vishay
 si4143dy.pdf

SI4143DY SI4143DY

Si4143DYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = -10 V -25.3 Material categorization: -30 0.0074 at VGS = -6 V -23.2 54 nCFor definitions of compliance please see 0.0092 at VGS = -4.5 V -20.8www.vishay.com/doc?99

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top