Справочник MOSFET. SI4143DY

 

SI4143DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4143DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4143DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4143DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  vishay
 si4143dy.pdf pdf_icon

SI4143DY

Si4143DYwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = -10 V -25.3 Material categorization: -30 0.0074 at VGS = -6 V -23.2 54 nCFor definitions of compliance please see 0.0092 at VGS = -4.5 V -20.8www.vishay.com/doc?99

Другие MOSFET... SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , SI4124DY , SI4126DY , SI4128DY , SI4134DY , SI4136DY , EMB04N03H , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY , SI4168DY , SI4170DY .

 

 
Back to Top

 


 
.