SI4156DY Todos los transistores

 

SI4156DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4156DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4156DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
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SI4156DY

Si4156DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 12 nC0.008 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested21 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Conve

 9.1. Size:248K  vishay
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SI4156DY

New ProductSi4158DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0025 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg Tested20 40 nC0.003 at VGS = 4.5 V 33.3 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Low-Side MOSFET for Synchronous Buck OR-ingSO-8 D SD1 8 SD

 9.2. Size:86K  vishay
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SI4156DY

New ProductSi4154DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0033 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET 40 32.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0039 at VGS = 4.5 V 33 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS POL

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History: SI3460DDV

 

 
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