SI4156DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4156DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4156DY datasheet

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SI4156DY

Si4156DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested 30 12 nC 0.008 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested 21 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Conve

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SI4156DY

New Product Si4158DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0025 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg Tested 20 40 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 33.3 100 % UIS Tested APPLICATIONS Low-Side MOSFET for Synchronous Buck OR-ing SO-8 D SD 1 8 SD

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SI4156DY

New Product Si4154DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0033 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET 40 32.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0039 at VGS = 4.5 V 33 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS POL

Otros transistores... SI4122DY, SI4124DY, SI4126DY, SI4128DY, SI4134DY, SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY, EMB04N03H, SI4160DY, SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY, SI4168DY, SI4170DY, SI4172DY, SI4174DY