SI4186DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4186DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1085 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4186DY datasheet

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SI4186DY

New Product Si4186DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = 10 V 35.8 TrenchFET Power MOSFET 20 28.7 nC 100 % Rg Tested 0.0032 at VGS = 4.5 V 32.2 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATI

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