SI4186DY Todos los transistores

 

SI4186DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4186DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1085 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4186DY Datasheet (PDF)

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SI4186DY

New ProductSi4186DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 35.8 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 4.5 V 32.2 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

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History: IRFD9010 | BSZ0501NSI | AP22N13GH-HF | AP2301N-HF

 

 
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