Справочник MOSFET. SI4186DY

 

SI4186DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4186DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4186DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  vishay
 si4186dy.pdf pdf_icon

SI4186DY

New ProductSi4186DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 35.8 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 4.5 V 32.2 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

Другие MOSFET... SI4164DY , SI4166DY , SI4168DY , SI4170DY , SI4172DY , SI4174DY , SI4176DY , SI4178DY , IRF740 , SI4190ADY , SI4190DY , SI4196DY , SI4200DY , SI4202DY , SI4204DY , SI4210DY , SI4214DDY .

 

 
Back to Top

 


 
.