Справочник MOSFET. SI4186DY

 

SI4186DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4186DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4186DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  vishay
 si4186dy.pdf pdf_icon

SI4186DY

New ProductSi4186DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = 10 V 35.8 TrenchFET Power MOSFET20 28.7 nC 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 4.5 V 32.2 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4421DY-T1 | AO4406 | IRC330 | R6524KNX | SI4463BDY-T1 | P0270ATFS | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.