SI4186DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4186DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1085 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4186DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4186DY даташит

 ..1. Size:270K  vishay
 si4186dy.pdf pdf_icon

SI4186DY

New Product Si4186DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = 10 V 35.8 TrenchFET Power MOSFET 20 28.7 nC 100 % Rg Tested 0.0032 at VGS = 4.5 V 32.2 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATI

Другие IGBT... SI4164DY, SI4166DY, SI4168DY, SI4170DY, SI4172DY, SI4174DY, SI4176DY, SI4178DY, IRF740, SI4190ADY, SI4190DY, SI4196DY, SI4200DY, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY, SI4214DDY