SI4210DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4210DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0355 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4210DY
Principales características: SI4210DY
si4210dy.pdf
New Product Si4210DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0355 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 30 3.7 nC 100 % UIS Tested 0.044 at VGS = 4.5 V 5.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS
si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested 30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DC D D
si4214dy.pdf
New Product Si4214DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET 30 6.7 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION
si4214ddy.pdf
Si4214DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested 30 7.1 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Notebook Syst
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Liste
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