SI4210DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4210DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0355 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4210DY Datasheet (PDF)
si4210dy.pdf
New ProductSi4210DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0355 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET30 3.7 nC 100 % UIS Tested0.044 at VGS = 4.5 V 5.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V 8.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD D
si4214dy.pdf
New ProductSi4214DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET30 6.7 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION
si4214ddy.pdf
Si4214DDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFETPower MOSFET0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested30 7.10.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Notebook Syst
si4214dd.pdf
New ProductSi4214DDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0195 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET30 7.1 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO
Другие MOSFET... SI4178DY , SI4186DY , SI4190ADY , SI4190DY , SI4196DY , SI4200DY , SI4202DY , SI4204DY , IRF540N , SI4214DDY , SI4228DY , SI4276DY , SI4286DY , SI4288DY , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918