Справочник MOSFET. SI4210DY

 

SI4210DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4210DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0355 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4210DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si4210dy.pdf pdf_icon

SI4210DY

New ProductSi4210DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0355 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET30 3.7 nC 100 % UIS Tested0.044 at VGS = 4.5 V 5.8 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:181K  vishay
 si4214ddy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4210DY

Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V 8.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD D

 9.2. Size:271K  vishay
 si4214dy.pdf pdf_icon

SI4210DY

New ProductSi4214DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET30 6.7 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

 9.3. Size:265K  vishay
 si4214ddy.pdf pdf_icon

SI4210DY

Si4214DDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFETPower MOSFET0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested30 7.10.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Notebook Syst

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4466DY | SI4438DY | R6524KNX | IRC330 | SI4660DY | AO4492 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.