SI4276DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4276DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4276DY datasheet

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SI4276DY

Si4276DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0153 at VGS = 10 V 8e TrenchFET Power MOSFET Channel 1 30 8.4 0.0184 at VGS = 4.5 V 8e 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.0280 at VGS = 10 V 8 Channel 2 30 3.6 Compliant to RoHS

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