SI4276DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4276DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4276DY

SI4276DY Datasheet (PDF)

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si4276dy.pdf

Si4276DYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0153 at VGS = 10 V 8e TrenchFET Power MOSFETChannel 1 30 8.40.0184 at VGS = 4.5 V 8e 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.0280 at VGS = 10 V 8Channel 2 30 3.6 Compliant to RoHS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: