Справочник MOSFET. SI4276DY

 

SI4276DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4276DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4276DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  vishay
 si4276dy.pdf pdf_icon

SI4276DY

Si4276DYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0153 at VGS = 10 V 8e TrenchFET Power MOSFETChannel 1 30 8.40.0184 at VGS = 4.5 V 8e 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.0280 at VGS = 10 V 8Channel 2 30 3.6 Compliant to RoHS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4559EY | SI4386DY | SI4642DY | SI4190ADY | SI4418DY | SI4559ADY | SI4666DY

 

 
Back to Top

 


 
.