SI4276DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4276DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4276DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4276DY даташит

 ..1. Size:300K  vishay
 si4276dy.pdf pdf_icon

SI4276DY

Si4276DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0153 at VGS = 10 V 8e TrenchFET Power MOSFET Channel 1 30 8.4 0.0184 at VGS = 4.5 V 8e 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.0280 at VGS = 10 V 8 Channel 2 30 3.6 Compliant to RoHS

Другие IGBT... SI4190DY, SI4196DY, SI4200DY, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY, SI4214DDY, SI4228DY, IRLZ44N, SI4286DY, SI4288DY, SI4320DY, SI4322DY, SI4324DY, SI4336DY, SI4340DDY, SI4346DY