SI4276DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4276DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 215 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0153 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4276DY Datasheet (PDF)
..1. Size:300K vishay
si4276dy.pdf
si4276dy.pdf
Si4276DYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0153 at VGS = 10 V 8e TrenchFET Power MOSFETChannel 1 30 8.40.0184 at VGS = 4.5 V 8e 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.0280 at VGS = 10 V 8Channel 2 30 3.6 Compliant to RoHS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
