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SI4286DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4286DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0325 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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Principales características: SI4286DY

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SI4286DY

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SI4286DY

Si4288DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFET Power MOSFET 40 4.9 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS CCFL Inverter

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