SI4286DY Todos los transistores

 

SI4286DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4286DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0325 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4286DY Datasheet (PDF)

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SI4286DY

Si4286DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0325 at VGS = 10 V 7 TrenchFET Gen III Power MOSFET40 3.3 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:256K  vishay
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SI4286DY

Si4288DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFETPower MOSFET40 4.90.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS CCFL Inverter

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History: UPA2811T1L | AP9565AGJ | MDF13N65BTH | MDF18N50BTH | MDF5N50BTH | MDU1512RH | 2SK3440

 

 
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