Справочник MOSFET. SI4286DY

 

SI4286DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4286DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0325 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4286DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4286DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  vishay
 si4286dy.pdf pdf_icon

SI4286DY

Si4286DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0325 at VGS = 10 V 7 TrenchFET Gen III Power MOSFET40 3.3 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:256K  vishay
 si4288dy.pdf pdf_icon

SI4286DY

Si4288DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFETPower MOSFET40 4.90.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS CCFL Inverter

Другие MOSFET... SI4196DY , SI4200DY , SI4202DY , SI4204DY , SI4210DY , SI4214DDY , SI4228DY , SI4276DY , IRF640N , SI4288DY , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY , SI4336DY , SI4340DDY , SI4346DY , SI4354DY .

History: STW32NM50N | 2SK3352B | 2SK2972 | SVF5N65D | MDP15N60GTH

 

 
Back to Top

 


 
.