SI4288DY Todos los transistores

 

SI4288DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4288DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI4288DY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI4288DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  vishay
 si4288dy.pdf pdf_icon

SI4288DY

Si4288DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFETPower MOSFET40 4.90.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS CCFL Inverter

 9.1. Size:256K  vishay
 si4286dy.pdf pdf_icon

SI4288DY

Si4286DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0325 at VGS = 10 V 7 TrenchFET Gen III Power MOSFET40 3.3 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Otros transistores... SI4200DY , SI4202DY , SI4204DY , SI4210DY , SI4214DDY , SI4228DY , SI4276DY , SI4286DY , IRF630 , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY , SI4336DY , SI4340DDY , SI4346DY , SI4354DY , SI4362BDY .

 

 
Back to Top

 


 
.