SI4288DY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI4288DY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI4288DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4288DY даташит
si4288dy.pdf
Si4288DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFET Power MOSFET 40 4.9 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS CCFL Inverter
Другие IGBT... SI4200DY, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY, SI4214DDY, SI4228DY, SI4276DY, SI4286DY, IRF640N, SI4320DY, SI4322DY, SI4324DY, SI4336DY, SI4340DDY, SI4346DY, SI4354DY, SI4362BDY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801


