SI4288DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4288DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.2 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4288DY Datasheet (PDF)
si4288dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4288DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 9.2 TrenchFETPower MOSFET40 4.90.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS CCFL Inverter
si4286dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4286DYVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0325 at VGS = 10 V 7 TrenchFET Gen III Power MOSFET40 3.3 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .