SI4336DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4336DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00325 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4336DY datasheet

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SI4336DY

Si4336DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low On-Resistance Using High VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ) Density TrenchFET Gen II Power Available 0.00325 at VGS = 10 V 25 MOSFET Technology 30 36 RoHS* 0.0042 at VGS = 4.5 V 22 COMPLIANT Qg Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side

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SI4336DY

Si4334DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0135 at VGS = 10 V 14.8 30 14 nC TrenchFET Power MOSFET 0.016 at VGS = 4.5 V 13.4 100 % Rg and UIS Tested SCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT APPLICATIONS SUMMARY Notebook

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SI4336DY

Si4330DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0165 at VGS = 10 V 8.7 TrenchFET Power MOSFET 30 0.022 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 7.5 APPLICATIONS Notebook - Load Switch - DC/DC Conversion - Auxiliary Voltage SO-8 D1 D2 S 1 1 D 1

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