SI4336DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4336DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 860 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00325 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4336DY Datasheet (PDF)
si4336dy.pdf
Si4336DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low On-Resistance Using High VDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ)Density TrenchFET Gen II Power Available0.00325 at VGS = 10 V 25MOSFET Technology30 36RoHS*0.0042 at VGS = 4.5 V 22COMPLIANT Qg Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side
si4334dy.pdf
Si4334DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0135 at VGS = 10 V 14.830 14 nC TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 4.5 V 13.4 100 % Rg and UIS TestedSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT APPLICATIONSSUMMARY Notebook
si4330dy.pdf
Si4330DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V 8.7 TrenchFET Power MOSFET300.022 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 7.5APPLICATIONS Notebook- Load Switch- DC/DC Conversion- Auxiliary VoltageSO-8 D1D2S 1 1 D 1
Другие MOSFET... SI4214DDY , SI4228DY , SI4276DY , SI4286DY , SI4288DY , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY , IRF630 , SI4340DDY , SI4346DY , SI4354DY , SI4362BDY , SI4368DY , SI4378DY , SI4384DY , SI4386DY .
