SI4362BDY Todos los transistores

 

SI4362BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4362BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4362BDY Datasheet (PDF)

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SI4362BDY

Si4362BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET 30 36 nC 0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" Synchronous Rectifier Operation 100 % Rg Tested APPLICATIONS DC/DC

 8.1. Size:87K  vishay
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SI4362BDY

Si4362DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET D Optimized for Low Side Synchronous PRODUCT SUMMARY Rectifier Operation D 100% Rg Tested VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS 30 30 0.0055 @ VGS = 4.5 V 19 D DC/DC Converters D Synchronous Rectifiers SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 GD 4 5 G Top View O

 9.1. Size:219K  vishay
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SI4362BDY

Si4368DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0032 at VGS = 10 V 25 30 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22 Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive

 9.2. Size:98K  vishay
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SI4362BDY

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