SI4362BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4362BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4362BDY Datasheet (PDF)
si4362bdy.pdf
Si4362BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC
si4362dy.pdf
Si4362DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for Low Side SynchronousPRODUCT SUMMARYRectifier OperationD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS30300.0055 @ VGS = 4.5 V 19D DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GD4 5GTop ViewO
si4368dy.pdf
Si4368DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0032 at VGS = 10 V 2530 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive
si4364dy.pdf
Si4364DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 19Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918