SI4362BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4362BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19.8 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4362BDY Datasheet (PDF)
si4362bdy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4362BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC
si4362dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4362DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for Low Side SynchronousPRODUCT SUMMARYRectifier OperationD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS30300.0055 @ VGS = 4.5 V 19D DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GD4 5GTop ViewO
si4368dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4368DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0032 at VGS = 10 V 2530 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive
si4364dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4364DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 19Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .