SI4362BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4362BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4362BDY Datasheet (PDF)
si4362bdy.pdf

Si4362BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC
si4362dy.pdf

Si4362DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for Low Side SynchronousPRODUCT SUMMARYRectifier OperationD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS30300.0055 @ VGS = 4.5 V 19D DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GD4 5GTop ViewO
si4368dy.pdf

Si4368DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0032 at VGS = 10 V 2530 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive
si4364dy.pdf

Si4364DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 19Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SI4833DY | SI4554DY | SI4636DY | SI4459ADY | SI4599DY
History: SI4833DY | SI4554DY | SI4636DY | SI4459ADY | SI4599DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840