Справочник MOSFET. SI4362BDY

 

SI4362BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4362BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4362BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4362BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  vishay
si4362bdy.pdfpdf_icon

SI4362BDY

Si4362BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC

 8.1. Size:87K  vishay
si4362dy.pdfpdf_icon

SI4362BDY

Si4362DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for Low Side SynchronousPRODUCT SUMMARYRectifier OperationD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS30300.0055 @ VGS = 4.5 V 19D DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GD4 5GTop ViewO

 9.1. Size:219K  vishay
si4368dy.pdfpdf_icon

SI4362BDY

Si4368DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0032 at VGS = 10 V 2530 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive

 9.2. Size:98K  vishay
si4364dy.pdfpdf_icon

SI4362BDY

Si4364DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 19Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8

Другие MOSFET... SI4288DY , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY , SI4336DY , SI4340DDY , SI4346DY , SI4354DY , IRF9540 , SI4368DY , SI4378DY , SI4384DY , SI4386DY , SI4390DY , SI4396DY , SI4398DY , SI4401BDY .

History: 2SK3582TK

 

 
Back to Top

 


 
.