SI4378DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4378DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4378DY Datasheet (PDF)

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si4378dy.pdf

Si4378DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0027 at VGS = 4.5 V 25 Ultra Low On-Resistance Using High 200.0042 at VGS = 2.5 V 22Density TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology Qg Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Synchronou

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History: AOI2610E

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