SI4378DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4378DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4378DY datasheet

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SI4378DY

Si4378DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0027 at VGS = 4.5 V 25 Ultra Low On-Resistance Using High 20 0.0042 at VGS = 2.5 V 22 Density TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology Qg Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronou

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