SI4378DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4378DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 1250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4378DY Datasheet (PDF)
..1. Size:228K vishay
si4378dy.pdf
si4378dy.pdf
Si4378DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0027 at VGS = 4.5 V 25 Ultra Low On-Resistance Using High 200.0042 at VGS = 2.5 V 22Density TrenchFET Gen II Power MOSFET Technology Qg Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Synchronou
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
