SI4384DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4384DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4384DY datasheet

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SI4384DY

Si4384DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 0.0125 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion - Notebook SO-8 - D

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SI4384DY

Si4386DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 11 0.0095 at VGS = 4.5 V 13.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS DC/DC Conversion for PC SO-8 D SD 1

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SI4384DY

Si4388DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.016 at VGS = 10 V 10.7 Channel-1 30 8 TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested 0.015 at VGS = 10 V 11.3 Channel-2 30 19 0.017 at VGS = 4.

Otros transistores... SI4324DY, SI4336DY, SI4340DDY, SI4346DY, SI4354DY, SI4362BDY, SI4368DY, SI4378DY, 7N65, SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, SI4398DY, SI4401BDY, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY