SI4384DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4384DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4384DY
SI4384DY Datasheet (PDF)
si4384dy.pdf
Si4384DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 0.0125 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion - Notebook SO-8 - D
si4386dy.pdf
Si4386DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 11 0.0095 at VGS = 4.5 V 13.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS DC/DC Conversion for PC SO-8 D SD 1
si4388dy.pdf
Si4388DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.016 at VGS = 10 V 10.7 Channel-1 30 8 TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested 0.015 at VGS = 10 V 11.3 Channel-2 30 19 0.017 at VGS = 4.
Otros transistores... SI4324DY , SI4336DY , SI4340DDY , SI4346DY , SI4354DY , SI4362BDY , SI4368DY , SI4378DY , 7N65 , SI4386DY , SI4390DY , SI4396DY , SI4398DY , SI4401BDY , SI4401DDY , SI4401DY , SI4403BDY .
Liste
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