SI4386DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4386DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4386DY

SI4386DY Datasheet (PDF)

..1. Size:234K vishay
si4386dy.pdf

Si4386DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 110.0095 at VGS = 4.5 V 13.5 PWM Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC Conversion for PCSO-8 DSD1

9.1. Size:230K vishay
si4384dy.pdf

Si4384DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0085 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Gen II Power MOSFETs300.0125 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion- NotebookSO-8- D

9.2. Size:276K vishay
si4388dy.pdf

Si4388DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.016 at VGS = 10 V 10.7Channel-1 30 8 TrenchFET Power MOSFET0.024 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested0.015 at VGS = 10 V 11.3Channel-2 30 190.017 at VGS = 4.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KHB2D0N60F2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: